Dioden

Dioden grundfunktion är redan känd: den släpper bara igenom ström i en riktning, nämligen när spänningen på anoden ($U_a$) är större än spänningen på katoden ($U_k$), jämför figur HAREC-8.8.1.

Den här alternativtexten har ännu inte granskats.

1) Kort sammanfattning: En enkel seriekrets med spänningskälla till vänster, en diod i den övre ledningen och ett lastmotstånd till höger, med pilbeteckningar för spänningar och ström.

2) Detaljerad beskrivning: En rektangulär ledningsram bildar strömkretsen. Till vänster är en spänningskälla (symbol med två parallella streck av olika längd) inritad; bredvid pekar en nedåtriktad pil med etiketten ”U_a”. Den övre ledningen löper åt höger och innehåller på mitten en diodsymbol (triangel som pekar åt höger, med ett lodrätt streck vid spetsen). Ovanför den övre ledningen står en vågrät pil åt höger med ”U_d”. Till höger om dioden finns en liten pil åt höger med etiketten ”I_d”. På högra sidan löper ledningen lodrätt nedåt; där sitter ett lodrätt ritat rektangulärt lastmotstånd. Bredvid pekar en lång pil nedåt med etiketten ”U_k”. Den undre ledningen leder tillbaka åt vänster och sluter slingan till spänningskällan. Inga andra komponenter eller skalor finns.
Figur HAREC-8.8.1: Spänningar och ström hos en diod med seriemotstånd

Matematiskt kan vi skriva detta krav så här:

$$U_d = U_a - U_k > 0$$

Är $U_d$ bara lite större än 0 flyter dock ännu ingen märkbar ström. Det beror på diodens exponentiella karakteristik. Diodströmmen är nämligen:

$$I_d = I_S \left(e^{\frac{U_d}{U_T}}-1\right)$$

$e$ är det så kallade Eulers tal ($e\approx 2,718$), $U_T$ är en konstant som vid rumstemperatur är ungefär $\qty{26}{\milli\volt}$.

$I_S$ är här backströmmen (mättnadsström i backriktningen), den mycket lilla ström som flyter genom dioden vid negativa spänningar. Värdet på $I_S$ beror, förutom på några parametrar hos dioden som diodens yta, framför allt på det använda halvledarmaterialet. Hos material som germanium (Ge) med litet bandgap (energigap) (det går vi närmare in på i HAREC-utbildningen) är $I_S$ större, hos material med större bandgap är $I_S$ mindre.

Den här alternativtexten har ännu inte granskats.

Sammanfattning: Diagram med lodrät axel I_D och vågrät axel U_D, där en orange kurva länge löper nästan vågrätt och från det markerade stället U_th stiger brant uppåt.

Detaljerad beskrivning: Den vågräta axeln har till höger en pil och etiketten ”U_D”, den lodräta axeln har upptill en pil och etiketten ”I_D”. En orange linje börjar till vänster strax under den vågräta axeln, löper till stor del platt åt höger och ligger då mycket nära axeln. Till vänster om den lodräta axeln står etiketten ”−I_S”, mot vilken en liten pil pekar uppifrån och nedifrån. Längre åt höger är markeringen ”U_th” angiven på den vågräta axeln. Nära ”U_th” stiger den orangea linjen kraftigt och blir nästan lodrät. Bredvid stigningsområdet är ett kort, snett linjesegment inritat som löper snett uppåt från axeln. Det finns inga skalmarkeringar eller siffervärden.
Figur HAREC-8.8.2: Karakteristik för en diod

Betraktar vi en diodkaraktäristik i figur HAREC-8.8.2 stiger diodströmmen vid positiva $U_d$ brant från en viss spänning. Denna spänning kallas tröskelspänning $U_{th}$, men den är bara ett uttryck för de olika $I_S$: ju mindre $I_S$, desto högre tröskelspänning.

Som riktvärden för tröskelspänningen hos pn-dioder kan vi ange cirka $\qtyrange{0,2}{0,3}{\volt}$ för Ge och cirka $\qtyrange{0,6}{0,7}{\volt}$ för Si.

Lysdioder (LED) är också pn-dioder, där halvledarmaterialet är sådant att det sänder ut ljus när dioden är polad i framriktningen. Det fungerar bara med vissa material – inte med Si och Ge. Ljusets färg bestäms av bandgapet. Ju större bandgap, desto kortvågigare ljus, desto lägre backström och därmed desto högre tröskelspänning. Därför har röda LED:ar cirka $\qty{1,7}{\volt}$ tröskelspänning och gröna LED:ar $\qty{2,5}{\volt}$. De olika karakteristikerna visas i figur HAREC-8.8.3.

Den här alternativtexten har ännu inte granskats.

Sammanfattning: Diagram med fyra orange diodkarakteristiker i ett I_F–U_F-koordinatsystem, märkta Schottkydiode, Germanium, Silizium (kisel) och Leuchtdiode (lysdiod).

Detaljerad beskrivning: Vit bakgrund med svarta axlar och pilar: lodrätt uppåt med etiketten ”I_F”, vågrätt åt höger med etiketten ”U_F”. På U_F-axeln är skalvärdena (satta lodrätt) från vänster till höger: ”0,2 V”, ”0,4 V”, ”0,6 V”, ”0,8 V”, ”1,0 V”, ”1,2 V”, ”1,4 V”, ”1,6 V”, ”1,8 V”. I_F-axeln har inga sifferstreck. Fyra orange, åt höger förskjutet ordnade, kraftigt stigande, konvexa kurvor visar vid olika spänningar en brant stigning. Bredvid varje kurva står lodrätt med orange en beteckning: längst till vänster ”Schottkydiode” (kurvan stiger redan nära ”0,2 V” kraftigt), på mitten två kurvor med etiketterna ”Germanium” (den vänstra av de två, stigning mellan ”0,2 V” och ”0,4 V”) och ”Silizium” (till höger om den, stigning i området ”0,6 V” till ”0,8 V”), längst till höger en kurva med etiketten ”Leuchtdiode” (kraftig stigning i området ”1,6 V” till ”1,8 V”).
Figur HAREC-8.8.3: Karakteristik för olika dioder

En diod leder alltid när spänningen på anoden är tröskelspänningen högre än på katoden. Med en kiseldiod på $\qty{0,7}{\volt}$ tröskelspänning gäller alltså att katoden ligger $\qty{0,7}{\volt}$ lägre än anoden när dioden leder.

Eftersom LED:ar drivs i framriktningen är det viktigt att koppla ett motstånd $R_V$ mellan spänningskällan $U$ och LED:en. $R_V$ ställer in önskad ström $I$. Därvid ska LED:ens tröskelspänning $U_{th}$ beaktas:

$$ I=\frac{U-U_{th}}{R_V}$$

I vår enkla modell flyter bara en liten backström för negativa $U_d$. Det stämmer dock inte för mycket negativa spänningar. Så småningom blir det elektriska fältet över utarmningszonen mellan n och p för högt och dioden ”slår igenom”, strömmen i backriktningen ökar extremt kraftigt, som visas i figur HAREC-8.8.4.

Detta backgenombrott kan ha olika fysikaliska orsaker som vi inte kan gå in på i detalj här. Spänningen vid vilken genombrottet sker kallas allmänt zenerspänning $U_z$, även om zenereffekten (en kvantmekanisk tunneleffekt) bara är en möjlig genombrottsmekanism. Zenerdioder används för spänningsstabilisering. Då är det viktigt att begränsa genombrottsströmmen med ett seriemotstånd.

Den här alternativtexten har ännu inte granskats.

Sammanfattning: Diagram över en ström-spänningskarakteristik med axlarna I_D (lodrät) och U_D (vågrät); en orange kurva löper länge platt nära nollinjen, visar till vänster vid -U_Z ett smalt fall nedåt och stiger till höger från U_th brant uppåt.

Detaljerad beskrivning: Ett kartesiskt koordinatsystem med pilspetsar visar den lodräta axeln med etiketten ”I_D” uppåt och den vågräta axeln med etiketten ”U_D” åt höger; axlarna skär varandra ungefär på mitten. På U_D-axeln är till vänster markeringen ”−U_Z” inritad, till höger nära ett krökningsställe står ”U_th”. En heldragen, orange karakteristik löper över långa sträckor nästan på den vågräta axeln (I_D ≈ 0). Till vänster, nära etiketten ”−U_Z”, störtar kurvan mycket brant nedåt (negativ I_D) och återvänder omedelbart tätt intill nollinjen, varvid en smal djup nedgång uppstår. Till höger, nära etiketten ”U_th”, förblir linjen först platt, böjer sedan abrupt uppåt och löper därefter nästan lodrätt med kraftigt stigande I_D. Inga ytterligare rutnätslinjer eller numeriska skalor finns.
Figur HAREC-8.8.4: Karakteristik för en zenerdiod

Kretssymbolen för en zenerdiod (figur HAREC-8.8.5) är den för en vanlig diod där katodstrecket har en extra förlängning i $\qty{90}{\degree}$ vinkel. Det ska påminna om karakteristikens ”knäck” vid genombrottet.

Den här alternativtexten har ännu inte granskats.

Kort: En lång vågrät linje med en triangel som pekar åt höger insatt i ledningen, vars spets möter en kort lodrät linje med ett litet, åt höger vinklat streck upptill.

Detalj: En tunn, genomgående vågrät linje löper från längst till vänster till längst till höger. Ungefär på mitten sitter på denna linje en tom triangel som pekar åt höger; den vågräta linjen löper precis genom dess mitt och delar triangeln i en övre och en undre halva. Vid triangelns högra spets står ett kort lodrätt streck som sticker ut något över och under den vågräta linjen. I det lodräta streckets övre ände är ett mycket kort vågrätt streck åt höger påsatt, så att ett litet rätvinkligt ”L” bildas. Till vänster och höger om symbolen fortsätter den vågräta linjen utan andra markeringar; det finns inga etiketter eller måttangivelser.
Figur HAREC-8.8.5: Kretssymbol för en zenerdiod

De dioder som hittills behandlats var alla pn-dioder, där diodegenskapen uppstår genom en halvledarövergång. Schottkydioden är en diod vars egenskaper uppstår genom en metall-halvledarövergång. Tröskelspänningen är ungefär hälften så stor som hos en pn-diod av samma material, eller mindre, beroende på metall-halvledarövergångens utformning. Schottkydioder används när tröskelspänningen ska vara låg, eller som mycket snabba switchdioder.

Metall-halvledardioder är de äldsta likriktarkomponenterna på halvledarbasis. Ferdinand Braun upptäckte deras likriktareffekt redan 1874, utan att kunna förklara sin observation.

Låt oss sammanfatta:

Dioder släpper bara igenom ström i en riktning. Därför lämpar de sig för likriktning av växelström.

Vid höga backspänningar ($U_d < U_z$) ökar dock strömmen i backriktningen kraftigt. Denna arbetspunkt kan utnyttjas mycket bra för spänningsstabilisering (zenerdiod).

Dessutom kan de i backriktningen användas som spänningsstyrda kapacitanser, men det behandlar vi först senare.

Exempel på zenerdiodens seriemotstånd: Ska en zenerdiod stabilisera $U_Z = \qty{5}{\volt}$ från $U_1 = \qty{13,8}{\volt}$ med strömmen $I = \qty{30}{\milli\ampere}$ blir spänningen över seriemotståndet $U_V = U_1 – U_Z = \qty{8,8}{\volt}$ och $R_V = \frac{U_V}{I} = \frac{\qty{8,8}{\volt}}{\qty{30}{\milli\ampere}} \approx \qty{293}{\ohm}$.


Fortsätt till nästa avsnitt: Halvledare: dopning och pn-övergång